静态和动态内存分配之间的区别，SRAM和DRAM的区别！

静态内存就是分配给某程序，之后不会改变分配的，动态内存是可以动态分配给不同程序的内存。

静态内存和动态内存是说怎么划分内存，怎么使用内存，SRAM和DRAM是硬件层的概念和区别，两者不要混淆了。

静态和动态内存分配是将内存分配给计算机程序的两种方式。这两种内存分配之间的根本区别在于，静态内存分配在程序员编译程序时分配内存，动态内存是程序员执行程序时分配内存。

什么是内存分配？

内存分配是将内存地址分配给程序（指令和数据）的任务。尽管内存分配是硬件操作，但操作系统控制分配地址空间的任务。

为什么我们需要内存分配？

内存分配是执行程序所需的强制过程。因此，如果要执行程序，则必须首先将其放置在计算机的内存中，处理器可以从那里读取和执行它。

什么是静态内存分配？

静态内存分配是一种计算机在编译过程中将内存分配给程序的技术。分配的内存不能改变大小，即不能增加或减少分配的内存大小。

一旦分配给程序，静态内存将保留在整个程序中，即从程序被编译的那一刻到程序完成其执行的那一刻。程序完全执行后，内存被解除分配，并且可以将其分配给其他实体。此技术将内存从堆栈存储分配给程序。

在静态内存分配中，程序执行得更快，因为内存在执行之前分配给程序。但是很难确定运行程序需要多少内存，因此大多数情况下，内存分配决策是在运行时做出的。

什么是动态内存分配？

在动态内存分配中，内存在运行时分配，即当程序员执行程序时 – 此技术从堆存储中分配内存。

动态分配的内存可以在程序执行期间随时释放。甚至分配的内存也可以调整大小，即您可以增加或减少内存大小。此方法更有效，因为它根据程序的需要提供内存空间。

由于内存是在运行时分配的，因此与静态内存分配相比，这使得执行速度稍慢。

静态和动态内存分配之间的主要区别

静态内存分配和动态内存分配之间最基本的区别在于静态内存是在编译程序时分配的。而动态内存是在执行程序时分配的，即在运行时分配的。

通过静态分配分配的内存在整个程序中保持静态，即从编译到执行。通过动态分配分配的内存可以在程序执行期间随时分配和取消分配。

在静态内存分配中，内存已在编译时分配。因此，它减少了运行时间并使执行速度更快。但是，内存是在执行期间以动态内存分配的，这使得执行速度比静态内存分配慢。

静态内存分配是从堆栈分配的，而在动态内存分配中，内存是从堆中分配的。

将内存静态分配给实体后，无法减小或增加内存大小。相反，在动态内存分配中，我们可以增加或减少实体的内存大小。

静态分配内存是一个简单的过程。动态分配内存是一个复杂的过程。

相比之下，动态内存分配比静态内存分配更有效，因为在动态内存分配中，我们不需要事先知道程序需要多少空间。

结论

我们学习了两种内存分配技术，即静态和动态内存分配。编译程序时发生静态内存分配;但是，动态内存分配发生在执行程序时。动态内存分配优先于静态内存分配，因为无法确定程序执行所需的准确内存。

以上来源： 静态和动态内存分配之间的区别

sram和dram的区别和联系

静态随机存取存储器 (SRAM)数据存储在晶体管中，需要恒定的功率流。动态随机存取存储器 (DRAM)： 数据存储在电容器中。它们都是集成电路RAM的模式，不过也有不同，例如 SRAM 比 DRAM 相对更快，因此 SRAM 用于高速缓存，而 DRAM 用于主存储器。SRAM的存储容量为1MB到16MB，而DRAM 的存储容量为 1 GB 至 16 GB。

RAM（Random Access Memory）是一种需要持续供电才能将数据保存在其中的存储器，一旦断电，数据就会丢失，因此被称为易失性存储器。在 RAM 中的读取和写入既简单又快速，并且通过电信号完成。

SRAM的定义

SRAM（静态随机存取存储器）由CMOS 技术组成，使用六个晶体管。它的结构由两个交叉耦合的反相器组成，用于存储数据（二进制），类似于触发器和额外的两个晶体管用于访问控制。它比 DRAM 等其他 RAM 类型相对更快。它消耗更少的电力。SRAM只要通电就可以保存数据。

DRAM的定义

DRAM（动态随机存取存储器）也是一种使用电容器和少量晶体管构成的 RAM。电容器用于存储数据，其中位值 1 表示电容器已充电，位值 0 表示电容器已放电。电容器容易放电，导致电荷泄漏。

动态项表示即使在持续供电的情况下，电荷也会不断泄漏，这就是它消耗更多电力的原因。要长时间保留数据，需要反复刷新，这需要额外的刷新电路。由于泄漏电荷，即使打开电源，DRAM 也会丢失数据。DRAM 具有更高的容量并且更便宜。对于单个内存块，它只需要一个晶体管。

SRAM 和 DRAM 之间的主要区别

SRAM是访问时间短的片上存储器，DRAM是访问时间长的片外存储器。因此 SRAM 比 DRAM 快。

DRAM 的存储容量更大，而 SRAM 的尺寸更小。

SRAM很贵，而 DRAM 很便宜。

高速缓冲存储器是SRAM的一种应用。相反，DRAM用于主存储器。

DRAM高度密集。相反，SRAM 比较少见。

由于使用了大量的晶体管，SRAM的结构很复杂。相反，DRAM易于设计和实现。

7.在 SRAM 中，单个内存块需要六个晶体管，而 DRAM 只需要一个晶体管用于单个内存块。

8.DRAM之所以被命名为动态的，是因为它使用的电容器会产生泄漏电流，因为电容器内部用于分隔导电板的电介质不是完美的绝缘体，因此需要电源刷新电路。另一方面，SRAM中不存在电荷泄漏的问题。

9.DRAM 的功耗比 SRAM 高。SRAM 的工作原理是改变通过开关的电流方向，而 DRAM 的工作原理是保持电荷。

结论

DRAM是SRAM的后代。DRAM 旨在克服 SRAM 的缺点；设计人员减少了一位内存中使用的内存元件，从而显着降低了 DRAM 成本并增加了存储面积。但是，DRAM 速度慢且比 SRAM 消耗更多功率，它需要在几毫秒内频繁刷新以保留电荷。

以上来源： sram和dram的区别和联系

1、数据存储不同：

SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。

2、体积不同：

相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。

同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM。

3、特点不同：

SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大 ，通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。

同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。

由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。

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SRAM是静态内存，最快。DRAM是动态内存，要保持刷新。这两种都是断电不保存内容的。Flash是闪存，最慢，但是断电后内容不会丢。

现在一般SRAM都是做在芯片内部，容量不大。DRAM是外部芯片，容量大些，系统运行时会把flash的内容复制到DRAM中。Flash也是外部芯片，放系统和数据。

链接：https://www.zhihu.com/question/565193315/answer/2750100675